Transistor canal N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor canal N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.81€
5-24
1.58€
25-49
1.42€
50-99
1.31€
100+
1.16€
Quantité en stock: 32

Transistor canal N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 96A. Id (T=25°C): 124A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.4M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4490pF. C (out): 952pF. Dissipation de puissance maxi: 107W. Id(imp): 230A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4804NG. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4804NG. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 230A. Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 34 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
NTD4804NT4G
32 paramètres
Id (T=100°C)
96A
Id (T=25°C)
124A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
3.4M Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
4490pF
C (out)
952pF
Dissipation de puissance maxi
107W
Id(imp)
230A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
4804NG
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
Remarque
sérigraphie/code CMS 4804NG
RoHS
oui
Spec info
ID pulse 230A
Td(off)
24 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
34 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1.5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor