Transistor canal N NTD3055L104G, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, 60V, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V
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Transistor canal N NTD3055L104G, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, 60V, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.089 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 316pF. C (out): 105pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Dissipation de puissance maxi: 48W. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: niveau logique, ID pulse 45A/10us. Id(imp): 45A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: 55L104G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 55L104G. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.2 ns. Technologie: Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14