Transistor canal N IXTA36N30P, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.092 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263AB ). Tension Vds(max): 300V. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43