Transistor canal N IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2700pF. C (out): 270pF. Courant de collecteur: 60A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: -. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Ic(puls): 60.4k Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43