Transistor canal N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V

Transistor canal N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
13.11€
5-24
12.14€
25-49
10.64€
50+
9.85€
Quantité en stock: 34

Transistor canal N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1500pF. C (out): 170pF. Courant de collecteur: 48A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: HiPerFAST IGBT with Diode. Ic(puls): 80A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Remarque: transistor IGBT HiPerFAST. Td(off): 75 ns. Td(on): 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IXGH24N60CD1
26 paramètres
Ic(T=100°C)
24A
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247 ( AD )
Tension collecteur/émetteur Vceo
600V
C (in)
1500pF
C (out)
170pF
Courant de collecteur
48A
Diode CE
oui
Diode au Germanium
non
Dissipation de puissance maxi
150W
Fonction
HiPerFAST IGBT with Diode
Ic(puls)
80A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Remarque
transistor IGBT HiPerFAST
Td(off)
75 ns
Td(on)
15 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2.1V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
2.5V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
2.5V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
5.5V
Tension grille - émetteur VGE
20V
Trr Diode (Min.)
130 ns
Type de canal
N
Produit d'origine constructeur
IXYS