Transistor canal N IXFX34N80, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation), 800V

Transistor canal N IXFX34N80, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation), 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
29.59€
5-9
28.45€
10-24
26.01€
25+
24.32€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 25

Transistor canal N IXFX34N80, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation), 800V. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.24 Ohms. Boîtier: PLUS247. Boîtier (selon fiche technique): PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation). Tension Vds(max): 800V. C (in): 7500pF. C (out): 920pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 560W. Fonction: -. Id(imp): 136A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IXFX34N80
30 paramètres
Id (T=25°C)
34A
Idss (maxi)
2mA
Résistance passante Rds On
0.24 Ohms
Boîtier
PLUS247
Boîtier (selon fiche technique)
PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation)
Tension Vds(max)
800V
C (in)
7500pF
C (out)
920pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
560W
Id(imp)
136A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(off)
100 ns
Td(on)
45 ns
Technologie
HiPerFet Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
250 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
30
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
IXYS

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