Transistor canal N IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V

Transistor canal N IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
23.40€
5-9
22.28€
10-24
20.37€
25+
18.93€
Quantité en stock: 10

Transistor canal N IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 133A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 7600pF. C (out): 2900pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Id(imp): 400A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IXFR200N10P
32 paramètres
Id (T=100°C)
75A
Id (T=25°C)
133A
Idss (maxi)
1mA
Résistance passante Rds On
0.009 Ohms
Boîtier
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Boîtier (selon fiche technique)
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Tension Vds(max)
100V
C (in)
7600pF
C (out)
2900pF
Dissipation de puissance maxi
300W
Fonction
Surface arrière isolée électriquement
Id(imp)
400A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
Remarque
tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute
RoHS
oui
Spec info
dv/dt 10V/ns
Td(off)
150 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
Polar HiPerFet Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
150 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
IXYS