Transistor canal N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

Transistor canal N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
15.86€
5-9
14.12€
10-14
13.06€
15-29
12.37€
30+
11.41€
Quantité en stock: 9

Transistor canal N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. Id (T=25°C): 105A. Idss (maxi): 2uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Tension Vds(max): 200V. C (in): 9100pF. C (out): 2200pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 400W. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Id(imp): 480A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(off): 110 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IXFR120N20P
33 paramètres
Id (T=25°C)
105A
Idss (maxi)
2uA
Résistance passante Rds On
17m Ohms
Boîtier
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Boîtier (selon fiche technique)
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Tension Vds(max)
200V
C (in)
9100pF
C (out)
2200pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
400W
Fonction
Surface arrière isolée électriquement
Id(imp)
480A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
Remarque
tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute
RoHS
oui
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(off)
110 ns
Td(on)
40 ns
Technologie
Polar HiPerFet Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
250 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
30
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
IXYS