Transistor canal N IXFN520N075T2, SOT-227B (ISOTOP), 75V
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Transistor canal N IXFN520N075T2, SOT-227B (ISOTOP), 75V. Boîtier: SOT-227B (ISOTOP). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Capacité de grille Ciss [pF]: 41000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 480A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Dissipation maximale Ptot [W]: 940W. Délai de coupure tf[nsec.]: 80 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: GigaMOS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 48 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43
IXFN520N075T2
16 paramètres
Boîtier
SOT-227B (ISOTOP)
Tension drain-source Uds [V]
75V
Capacité de grille Ciss [pF]
41000pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
480A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.0019 Ohms @ 480A
Dissipation maximale Ptot [W]
940W
Délai de coupure tf[nsec.]
80 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
GigaMOS
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
48 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
5V
Produit d'origine constructeur
IXYS