Transistor canal N IXFK44N80P, TO-264 ( TOP-3L ), 800V, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264AA, 800V

Transistor canal N IXFK44N80P, TO-264 ( TOP-3L ), 800V, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264AA, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
25.06€
5-9
23.87€
10-24
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Transistor canal N IXFK44N80P, TO-264 ( TOP-3L ), 800V, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264AA, 800V. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 1.5mA. Résistance passante Rds On: 0.19 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 800V. C (in): 12pF. C (out): 910pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 12000pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 44A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 22A. Dissipation de puissance maxi: 1200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. Idss (min): 50uA. Marquage du fabricant: IXFK44N80P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IXFK44N80P
44 paramètres
Boîtier
TO-264 ( TOP-3L )
Tension drain-source Uds [V]
800V
Id (T=25°C)
44A
Idss (maxi)
1.5mA
Résistance passante Rds On
0.19 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-264AA
Tension Vds(max)
800V
C (in)
12pF
C (out)
910pF
Capacité de grille Ciss [pF]
12000pF
Conditionnement
tube en plastique
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
44A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.19 Ohms @ 22A
Dissipation de puissance maxi
1200W
Dissipation maximale Ptot [W]
1200W
Délai de coupure tf[nsec.]
75 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Fonction
Enhancement Mode, Avalanche Rated
Id(imp)
100A
Idss (min)
50uA
Marquage du fabricant
IXFK44N80P
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
dv/dt 10V/ns
Td(off)
75 ns
Td(on)
28 ns
Technologie
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
28 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
5V
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
250 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
25
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
IXYS