Transistor canal N IXFK44N80P, TO-264 ( TOP-3L ), 800V, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264AA, 800V
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Transistor canal N IXFK44N80P, TO-264 ( TOP-3L ), 800V, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264AA, 800V. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 1.5mA. Résistance passante Rds On: 0.19 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 800V. C (in): 12pF. C (out): 910pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 12000pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 44A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 22A. Dissipation de puissance maxi: 1200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. Idss (min): 50uA. Marquage du fabricant: IXFK44N80P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43