Transistor canal N IXFA130N10T2, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6600pF. C (out): 640pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 360W. Id(imp): 300A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 24 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43