Transistor canal N IRLZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 0.022 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 55V. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Charge: 32nC. Commande: niveau logique. Conditionnement: tubus. Courant de drain maxi: 41A. Courant de drain: 41A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 83W. RoHS: non. Résistance thermique du boîtier: 1.8K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43