Transistor canal N IRLR8726TRPBF, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Transistor canal N IRLR8726TRPBF, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-1
0.58€
2-4
0.47€
5-49
0.41€
50-99
0.37€
100+
0.33€
Quantité en stock: 178

Transistor canal N IRLR8726TRPBF, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 86A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 4m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2150pF. C (out): 480pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Equivalences: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Fonction: résistance passante RDS très faible à 4.5 V VGS. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Impédance de grille ultra-basse. Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

IRLR8726TRPBF
32 paramètres
Id (T=100°C)
61A
Id (T=25°C)
86A
Idss (maxi)
150uA
Résistance passante Rds On
4m Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
2150pF
C (out)
480pF
Dissipation de puissance maxi
75W
Equivalences
IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF
Fonction
résistance passante RDS très faible à 4.5 V VGS
Id(imp)
340A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Impédance de grille ultra-basse
Td(off)
15 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
24 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.35V
Vgs(th) min.
1.35V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier