Transistor canal N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Transistor canal N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-1
1.20€
2-4
1.20€
5-49
0.99€
50-99
0.84€
100+
0.71€
Quantité en stock: 24

Transistor canal N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 6.3m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1030pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: résistance passante RDS très faible à 4.5 V VGS. Id(imp): 260A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Impédance de grille ultra-basse. Td(off): 9.4 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRLR8721
31 paramètres
Id (T=100°C)
46A
Id (T=25°C)
65A
Idss (maxi)
150uA
Résistance passante Rds On
6.3m Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
1030pF
C (out)
350pF
Dissipation de puissance maxi
65W
Fonction
résistance passante RDS très faible à 4.5 V VGS
Id(imp)
260A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Impédance de grille ultra-basse
Td(off)
9.4 ns
Td(on)
8.8 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
17 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.35V
Vgs(th) min.
1.35V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier