Transistor canal N IRLR7843, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Transistor canal N IRLR7843, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.42€
5-24
1.17€
25-49
1.06€
50+
0.96€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1592

Transistor canal N IRLR7843, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 113A. Id (T=25°C): 161A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2.6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4380pF. C (out): 940pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: RDS (on) très faible à 4.5V VGS, impédance de grille ultra-faible. Id(imp): 620A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: LR7843. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 34 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 39 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2000. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRLR7843
33 paramètres
Id (T=100°C)
113A
Id (T=25°C)
161A
Idss (maxi)
150uA
Résistance passante Rds On
2.6m Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
4380pF
C (out)
940pF
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
140W
Fonction
RDS (on) très faible à 4.5V VGS, impédance de grille ultra-faible
Id(imp)
620A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
LR7843
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
34 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
39 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
2000
Vgs(th) max.
2.3V
Vgs(th) min.
1.5V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier

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