Transistor canal N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Transistor canal N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.34€
5-49
1.97€
50-99
1.67€
100-199
1.42€
200+
1.08€
Quantité en stock: 2249

Transistor canal N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3980pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Equivalences: IRLR3110ZPbF. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 250A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: ±16. Trr Diode (Min.): 34-51 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

IRLR3110ZPBF
32 paramètres
Id (T=100°C)
45A
Id (T=25°C)
42A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.105 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension Vds(max)
100V
C (in)
3980pF
C (out)
170pF
Dissipation de puissance maxi
79W
Equivalences
IRLR3110ZPbF
Fonction
résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide
Id(imp)
250A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(off)
30 ns
Td(on)
7.2 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
±16
Trr Diode (Min.)
34-51 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier