Transistor canal N IRLD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 1.7A. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): HVMDIP ( DIP-4 ). Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43