Transistor canal N IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

Transistor canal N IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.97€
5-24
1.74€
25-49
1.56€
50-99
1.40€
100+
1.22€
Quantité en stock: 779

Transistor canal N IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 1800pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRL540NS
26 paramètres
Id (T=100°C)
26A
Id (T=25°C)
36A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.044 Ohms
Boîtier
D2PAK ( TO-263 )
Tension Vds(max)
100V
C (in)
1800pF
C (out)
350pF
Dissipation de puissance maxi
140W
Fonction
Commande de porte par niveau logique
Id(imp)
60.4k Ohms
Idss (min)
25uA
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
39 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
16V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies