Transistor canal N IRG4PH50KD, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1220V. C (in): 2800pF. C (out): 140pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 45A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Ic(puls): 90A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 87 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.77V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43