Transistor canal N IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

Transistor canal N IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
8.71€
5-9
7.87€
10-24
7.21€
25-49
6.71€
50+
5.92€
Quantité en stock: 32

Transistor canal N IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2800pF. C (out): 140pF. Courant de collecteur: 45A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Ic(puls): 90A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Td(off): 200 ns. Td(on): 36ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.77V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRG4PH50K
25 paramètres
Ic(T=100°C)
24A
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT
Tension collecteur/émetteur Vceo
1200V
C (in)
2800pF
C (out)
140pF
Courant de collecteur
45A
Diode CE
non
Diode au Germanium
non
Dissipation de puissance maxi
200W
Fonction
Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed)
Ic(puls)
90A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
RoHS
oui
Spec info
td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C
Td(off)
200 ns
Td(on)
36ns
Température de fonctionnement
-40...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2.77V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
3V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
6V
Tension grille - émetteur VGE
20V
Type de canal
N
Produit d'origine constructeur
International Rectifier