Transistor canal N IRFU024N, TO-251 ( I-Pak ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Transistor canal N IRFU024N, TO-251 ( I-Pak ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.21€
5-24
1.04€
25-49
0.88€
50-99
0.80€
100+
0.68€
Quantité en stock: 88

Transistor canal N IRFU024N, TO-251 ( I-Pak ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Charge: 13.3nC. Courant de drain: 16A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: unipolaire. Puissance: 38W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFU024N
32 paramètres
Boîtier
TO-251 ( I-Pak )
Id (T=100°C)
12A
Id (T=25°C)
17A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.075 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-251AA ( I-PAK )
Tension Vds(max)
55V
C (in)
370pF
C (out)
140pF
Charge
13.3nC
Courant de drain
16A
Dissipation de puissance maxi
45W
Fonction
résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide
Id(imp)
68A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Polarité
unipolaire
Puissance
38W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
3.3K/W
Td(off)
19 ns
Td(on)
4.7 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Tension drain - source
55V
Tension grille-source
20V, ±20V
Trr Diode (Min.)
56 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier