Transistor canal N IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Transistor canal N IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.21€
5-49
1.02€
50-99
0.89€
100-199
0.80€
200+
0.66€
Quantité en stock: 78

Transistor canal N IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 86A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 5.2m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2330pF. C (out): 460pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, impédance de grille ultra faible. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFR3709Z
31 paramètres
Id (T=100°C)
61A
Id (T=25°C)
86A
Idss (maxi)
150uA
Résistance passante Rds On
5.2m Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
2330pF
C (out)
460pF
Dissipation de puissance maxi
79W
Fonction
résistance à l'état passant ultra faible, impédance de grille ultra faible
Id(imp)
340A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(off)
15 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
29 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.25V
Vgs(th) min.
1.35V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier