Transistor canal N IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

Transistor canal N IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.79€
5-49
0.67€
50-99
0.59€
100-199
0.52€
200+
0.43€
Quantité en stock: 118

Transistor canal N IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 100V. C (in): 180pF. C (out): 80pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 17A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFR110
28 paramètres
Id (T=100°C)
2.7A
Id (T=25°C)
4.3A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.54 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
D-PAK TO-252AA
Tension Vds(max)
100V
C (in)
180pF
C (out)
80pF
Dissipation de puissance maxi
25W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
17A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
15 ns
Td(on)
6.9ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
100 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier