Transistor canal N IRF9952QPBF, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 190/190pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: F9952Q. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14