Transistor canal N IRF840AS, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1018pF. C (out): 155pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 422 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14