Transistor canal N IRF7343TRPBF, SO8, -55V, 55V/-55V. Boîtier: SO8. Vdss (tension drain à source): -55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 740/690pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Dissipation de puissance maxi: 2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 48/64 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 3.4A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: F7343. Nombre de bornes: 8. Particularités: -. Polarité: MOSFET N+P. RoHS: oui. Série: HEXFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: -. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: SMD. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14