Transistor canal N IRF7343PBF, SO8, 55V/-55V

Transistor canal N IRF7343PBF, SO8, 55V/-55V

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Transistor canal N IRF7343PBF, SO8, 55V/-55V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 740/690pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 48/64 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: F7343. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRF7343PBF
16 paramètres
Boîtier
SO8
Tension drain-source Uds [V]
55V/-55V
Capacité de grille Ciss [pF]
740/690pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
4.7A/-3.4A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A
Dissipation maximale Ptot [W]
2W
Délai de coupure tf[nsec.]
48/64 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS, P-MOS
Marquage du fabricant
F7343
Nombre de bornes
8
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
12/22 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
3V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier