Transistor canal N IRF7317TRPBF, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 900/780pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.6A / -5.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 57/63 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: F7317. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14