Transistor canal N IRF7103, 3A, SO, SO-8, 50V. Id (T=25°C): 3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 50V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: 2xN-CH 50V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14