Transistor canal N IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4.7M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 2980pF. C (out): 1770pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: DC-DC isolé haute fréquence. Id(imp): 440A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 17 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 48 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14