Transistor canal N IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

Transistor canal N IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.23€
5-24
2.81€
25-49
2.49€
50-99
2.21€
100+
1.83€
Quantité en stock: 52

Transistor canal N IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRF3710S
29 paramètres
Id (T=100°C)
40A
Id (T=25°C)
57A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.025 Ohms
Boîtier
D2PAK ( TO-263 )
Boîtier (selon fiche technique)
D2PAK ( TO-263 )
Tension Vds(max)
100V
C (in)
3000pF
C (out)
640pF
Dissipation de puissance maxi
200W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
180A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
58 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
210 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier