Transistor canal N IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Transistor canal N IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.82€
5-24
4.46€
25-49
4.13€
50-99
3.89€
100+
3.46€
Quantité en stock: 7

Transistor canal N IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 6320pF. C (out): 1980pF. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 48 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
IRF2903ZS
28 paramètres
Id (T=100°C)
180A
Id (T=25°C)
260A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.019 Ohms
Boîtier
D2PAK ( TO-263 )
Boîtier (selon fiche technique)
D2PAK ( TO-263 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
6320pF
C (out)
1980pF
Dissipation de puissance maxi
290W
Fonction
AUTOMOTIVE MOSFET
Id(imp)
1020A
Idss (min)
20uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
48 ns
Td(on)
24 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier