Transistor canal N IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v

Transistor canal N IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.29€
5-24
1.12€
25-49
1.00€
50-99
0.92€
100+
0.81€
Quantité en stock: 5

Transistor canal N IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.0058 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2400pF. C (out): 920pF. Dissipation de puissance maxi: 68W. Id(imp): 350A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 050N03L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 6.7 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
IPD050N03L-GATMA1
24 paramètres
Id (T=100°C)
50A
Id (T=25°C)
50A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.0058 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
2400pF
C (out)
920pF
Dissipation de puissance maxi
68W
Id(imp)
350A
Idss (min)
0.1uA
Marquage sur le boîtier
050N03L
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
RoHS
oui
Td(off)
25 ns
Td(on)
6.7 ns
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Vgs(th) max.
2.2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies