Transistor canal N IPD034N06N3GATMA1, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2.8m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): PG-TO252-3 ( DPAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 8000pF. C (out): 1700pF. Dissipation de puissance maxi: 167W. Fonction: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 034N06N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 63 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 48 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45