Transistor canal N IPB80N06S2-09, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2360pF. C (out): 610pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0609. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45