Transistor canal N IKW50N60H3, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 116pF. C (out): 2960pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 100A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 333W. Fonction: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Ic(puls): 200A. Marquage sur le boîtier: K50H603. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Td(off): 235 ns. Td(on): 23 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension de seuil de la diode: 1.65V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45