Transistor canal N IKW25T120, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1860pF. C (out): 96pF. Courant de collecteur: 50A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Ic(puls): 75A. Marquage sur le boîtier: K25T120. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45