Transistor canal N IGW75N60H3, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4620pF. C (out): 240pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 140A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 428W. Délai de livraison: KB. Fonction: VCEsat très faible. Ic(puls): 225A. Marquage sur le boîtier: G75H603. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Td(off): 265 ns. Td(on): 31 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45