Transistor canal N HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Transistor canal N HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.88€
5-49
0.70€
50-99
0.59€
100+
0.52€
Quantité en stock: 50

Transistor canal N HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Harris. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
HUF75307D3
28 paramètres
Id (T=25°C)
13A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.09 Ohms
Boîtier
TO-251 ( I-Pak )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-251AA ( I-PAK )
Tension Vds(max)
55V
C (in)
250pF
C (out)
100pF
Dissipation de puissance maxi
35W
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
75307D
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
35 ns
Td(on)
7 ns
Technologie
UltraFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
45 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Harris