Transistor canal N GT35J321, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Boîtier: TO-3P( N )IS. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Courant de collecteur: 37A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Ic(puls): 100A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Td(off): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45