Transistor canal N GT30J324, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4650pF. Courant de collecteur: 30A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Ic(puls): 60A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Td(off): 0.3 ns. Td(on): 0.09 ns. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.45V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45