Transistor canal N GT30J322, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P( GCE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Courant de collecteur: 30A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: 'Current Resonance Inverter Switching'. Ic(puls): 100A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Td(off): 400 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.1V. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45