Transistor canal N G60N04K, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1800pF. C (out): 280pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC. Id(imp): 200A. Idss (min): n/a. Marquage sur le boîtier: G60N04K. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Produit d'origine constructeur: Goford Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45