Transistor canal N FQT4N20LTF, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Transistor canal N FQT4N20LTF, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.64€
5-24
0.56€
25-49
0.49€
50-99
0.44€
100+
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Transistor canal N FQT4N20LTF, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 0.55A. Id (T=25°C): 0.85A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 240pF. C (out): 36pF. Dissipation de puissance maxi: 2.2W. Id(imp): 3.4A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

FQT4N20LTF
28 paramètres
Id (T=100°C)
0.55A
Id (T=25°C)
0.85A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
1.1 Ohms
Boîtier
SOT-223 ( TO-226 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-223
Tension Vds(max)
200V
C (in)
240pF
C (out)
36pF
Dissipation de puissance maxi
2.2W
Id(imp)
3.4A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
15 ns
Td(on)
7 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
90 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
Fairchild