Transistor canal N FQA13N80-F109, TO-3PN ( 2-16C1B ), 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms, TO-3PN, 800V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 12.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.58 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2700pF. C (out): 275pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Dissipation de puissance maxi: 300W. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 320 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Id(imp): 50.4A. Idss (min): 10uA. Marquage du fabricant: FQA13N80. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 850 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19