Transistor canal N FGA60N65SMD, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 60A, TO-3PN, 650V. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Ic(T=100°C): 60A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. C (in): 2915pF. C (out): 270pF. Charge: 284nC. Courant crête collecteur Ip [A]: 180A. Courant de collecteur Ic [A]: 60A. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 600W. Fonction: onduleur solaire, UPS, Poste de soudage, PFC, Télécom, ESS. Ic(puls): 180A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Puissance: 300W. RoHS: oui. Td(off): 104 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Field Stop IGBT'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension (collecteur - émetteur): 650V. Tension Emetteur - Gate: ±20V. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 47ms. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: IGBT. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:15