Transistor canal N FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor canal N FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.01€
5-49
0.84€
50-99
0.75€
100+
0.66€
Quantité en stock: 25

Transistor canal N FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 880pF. C (out): 195pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 23 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) min.: 1.2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FDD8878
30 paramètres
Id (T=100°C)
11A
Id (T=25°C)
40A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.011 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
880pF
C (out)
195pF
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
40W
Fonction
convertisseur de tension DC/DC
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
39 ns
Td(on)
7 ns
Technologie
Power Trench MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
23 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
2500
Vgs(th) min.
1.2V
Produit d'origine constructeur
Fairchild