Transistor canal N FDD770N15A, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V

Transistor canal N FDD770N15A, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.84€
5-24
1.60€
25-49
1.42€
50-99
1.31€
100-199
1.17€
200+
1.13€
Quantité en stock: 64

Transistor canal N FDD770N15A, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. Id (T=100°C): 11.4A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 61m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 150V. C (in): 575pF. C (out): 64pF. Dissipation de puissance maxi: 56.8W. Fonction: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: High performance trench technology. RoHS: oui. Spec info: résistance RDS(on) extrêmement faible. Td(off): 15.8 ns. Td(on): 10.3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 56.4 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

FDD770N15A
32 paramètres
Id (T=100°C)
11.4A
Id (T=25°C)
18A
Idss (maxi)
500uA
Résistance passante Rds On
61m Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
150V
C (in)
575pF
C (out)
64pF
Dissipation de puissance maxi
56.8W
Fonction
Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille
Id(imp)
36A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Remarque
High performance trench technology
RoHS
oui
Spec info
résistance RDS(on) extrêmement faible
Td(off)
15.8 ns
Td(on)
10.3 ns
Technologie
PowerTrench MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
56.4 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Fairchild