Transistor canal N FDC6561AN, SSOT-6, SuperSOT-6
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.66€
5-9
1.04€
10-19
0.90€
20-49
0.82€
50+
0.76€
| Quantité en stock: 25 |
Transistor canal N FDC6561AN, SSOT-6, SuperSOT-6. Boîtier: SSOT-6, SuperSOT-6. : 'enhanced'. Charge: 3.2nC. Courant de drain: 2.5A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 0.96W. RoHS: oui. Technologie: PowerTrench®. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET x2. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 01/11/2025, 14:16
FDC6561AN
13 paramètres
Boîtier
SSOT-6, SuperSOT-6
'enhanced'
Charge
3.2nC
Courant de drain
2.5A
Montage/installation
SMD
Polarité
unipolaire
Puissance
0.96W
RoHS
oui
Technologie
PowerTrench®
Tension drain - source
30V
Tension grille-source
±20V
Type de transistor
N-MOSFET x2
Produit d'origine constructeur
Onsemi