Transistor canal N FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V

Transistor canal N FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.26€
5-24
2.91€
25-49
2.69€
50-99
2.54€
100+
2.30€
Quantité en stock: 58

Transistor canal N FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. Id (T=100°C): -. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.0087 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 1970pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 100A. Idss (min): -. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FDB8447L
28 paramètres
Id (T=25°C)
50A
Idss (maxi)
1uA
Résistance passante Rds On
0.0087 Ohms
Boîtier
D2PAK ( TO-263 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-263AB
Tension Vds(max)
40V
C (in)
1970pF
C (out)
250pF
Dissipation de puissance maxi
60W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
100A
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
28 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
PowerTrench MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
28 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor